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KP216XMSG系列芯片6W-18W高精度原邊控制芯片(KP2161/2/6MSG)
類別:產品新聞 發布時間:2026-03-23 15:19:04 瀏覽人數:14866

KP216XMSG是必易微(Kiwi Instruments)推出的帶高壓啟動的原邊控制功率開關系列,集成650V MOSFET,采用SOP-8封裝,無需啟動電阻和光耦,專為6W-18W小功率離線式充電器設計。系列包含三款型號,覆蓋不同功率等級:


型號 230VAC功率 85-265VAC功率 內置MOSFET 導通電阻
KP2161MSG7.5W6W650V/1A10-12Ω
KP2162MSG12W10W650V/2A4.4-5Ω
KP2166MSG-18W650V/4A1.2-1.4Ω
選型提示:KP2166MSG在230V輸入下功率受限(結溫考慮),適合寬電壓輸入場景;KP2162MSG是10W級性價比之選。

核心特點


1. 高壓啟動,極簡外圍


  • 無需啟動電阻:內部高壓啟動模塊直接為VDD充電至8V,省去2-3顆外圍元件
  • 支持兩繞組變壓器:可省略輔助繞組,進一步降低成本(見圖1右)
  • 待機功耗<50mW:滿足六級能效標準


2. 高精度控制


  • ±4%恒壓/恒流精度:原邊反饋(PSR)架構,省去光耦和TL431
  • 多模式控制:調幅(AM)+調頻(FM)結合,全負載范圍高效率
  • 無異音工作:避免變壓器共振噪聲


3. 完善保護功能


  • 短路保護(SLP):FB<0.7V持續40ms觸發
  • 過壓保護(OVP):FB>2.4V持續3周期觸發
  • 過溫保護(OTP):155°C關斷,125°C恢復
  • 逐周期限流(OCP):CS閾值550mV
  • VDD過欠壓保護:UVLO 7.6V,OVP 28.4V


管腳封裝與功能


SOP-8封裝,引腳定義如下:

引腳名稱類型功能描述
1VDD電源芯片供電,范圍9-25V
2GND芯片地
3FB反饋輔助繞組電壓分壓輸入,用于CV/CC控制
4CS輸入電流采樣,連接MOSFET源極與GND間電阻
5-8Drain功率內置MOSFET漏極,接變壓器原邊

封裝尺寸:4.7×5.8mm,標準SOP-8引腳間距1.27mm


典型應用電路



內部功能框圖解析


KP216XMSG內部集成以下核心模塊:


工作原理:


  • 啟動階段:高壓啟動模塊為VDD充電至8V,芯片開始工作
  • 恒壓模式:FB采樣輔助繞組電壓,與2V基準比較,調節PWM占空比
  • 恒流模式:當負載加重至CV/CC拐點,芯片固定Tdem/Tsw=0.5 ,通過調頻實現恒流
  • 線損補償:負載越重,FB流出電流越大,補償線纜壓降


參數特性曲線(溫度特性)


KP216XMSG的關鍵參數隨溫度變化特性:


參數溫度特性設計建議
VDD_ON-40℃~120℃幾乎恒定(7.9V→7.8V)啟動特性穩定
VFB_REF25℃達峰值2.0V,高低溫略降精度±1.5%以內
VCS(max)常溫穩定,>80℃開始下降高溫時恒流點略降
Icable_max隨溫度升高而增大(6.4→8.2μA)高溫補償增強
Toff_max25-60℃最低(4.3ms),高低溫升高頻率折返特性



設計要點


1. 變壓器設計


  • 感量選擇:根據功率和頻率計算,確保DCM工作
  • 匝比計算N=Np/Ns ,影響恒流公式中的系數
  • 漏感控制:漏感過大會導致FB采樣誤差,建議<5%


2. 恒流點設置


RCS=ICC(mA)14×N×550mV
例如:5V/2A輸出,匝比N=10,則:
RCS=200014×10×0.550.385Ω0.4Ω


3. 線損補償調節


最大補償電壓比例:
VoutΔVcableIcable_max2V×(R1//R2)×100%
例如R1=3kΩ,R2=18kΩ:
VoutΔV7.8μA×2.57kΩ2V

×100%1%


典型應用場景


  • 手機充電器:5V/2A(10W)、5V/2.4A(12W)
  • 小家電電源:智能插座、LED驅動、藍牙音箱
  • 工業輔助電源:PLC、傳感器、通信模塊
  • 替代RCC方案:穩定性更好,元件更少


總結


KP216XMSG系列以"三省一高"(省啟動電阻、省光耦、省輔助繞組、高精度)為核心賣點,是6W-18W小功率電源的理想選擇:

優勢說明
極簡BOM兩繞組方案僅需15顆左右元件
易設計原邊反饋,無需環路補償調試
高可靠內置7重保護,滿足安規要求
低成本比傳統光耦方案節省20%以上成本
對于追求性價比、快速量產、小體積的充電器設計,KP2162MSG(10W)和KP2166MSG(18W)是當前市場上極具競爭力的原邊控制方案。
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